PBSS5350Z / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 100 мВ, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200
Характеристики
-
КорпусTO261
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии100 мВ
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200