PBSS5540Z / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 320 мВ, Ток коллектора 5 А, Граничная рабочая частота 60 МГц, Коэффициент усиления по току, min 150
Характеристики
-
КорпусTO261
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии320 мВ
-
Ток коллектора5 А
-
Граничная рабочая частота60 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min150