PDTA114ET / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 30 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 Ом, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 10 Ом
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 Ом
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ10 Ом