PDTC143EU / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 20 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 Ом, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 4.7 Ом
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи4.7 Ом
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ4.7 Ом