PIMH9 / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT236 , Тип проводимости и конфигурация Dual NPN , Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 100 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 Ом, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 Ом
Характеристики
-
КорпусSOT236
-
Тип проводимости и конфигурацияDual NPN
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 Ом
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ47 Ом