PUMH7 / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация Dual NPN , Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 100 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 Ом
Характеристики
-
КорпусSOT363
-
Тип проводимости и конфигурацияDual NPN
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи4.7 Ом