2N3641 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-105
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-105