2N4403BU / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:40V; Continuous Collector Current, Ic:600mA; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):0.4V; Power Dissipation, Pd:625mW
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 0 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 0 Ом, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 0 Ом
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии0 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи0 Ом
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ0 Ом