BC640BU / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 800 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность800 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min25
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92