BS170_D26Z / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
TO-92/N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Корпус TO92 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 500 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 5 Ом, Рассеиваемая мощность 830 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса500 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max5 Ом
-
Рассеиваемая мощность830 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92