Биполярный N-P-N транзистор общего назначения. Напряжение эмиттер-коллектор 40 В; ток коллектора 800 мА; Ft 300 МГц; мощность рассеивания 350 мВт; h fe 35…300; корпус SOT-23
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 800 мА, Коэффициент усиления по току, min 40 , Коэффициент усиления по току, max 300