FDB6670S / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 62 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 8.5 мОм, Рассеиваемая мощность 62.5 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса62 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)8.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min8.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max8.5 мОм
-
Рассеиваемая мощность62.5 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB