FDD6670AL / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 84 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 5 мОм, Рассеиваемая мощность 83 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C84 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max5 мОм
-
Рассеиваемая мощность83 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252