FDS4072N7 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 9 мОм, Рассеиваемая мощность 3 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 12.4A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток40 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса12.4 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)9 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min9 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max9 мОм
-
Рассеиваемая мощность3 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 12.4A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET