FDS4465_F085 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET