FDS4935 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус so8 , Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпусso8
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET