FDS6679Z / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET