FDS6986S / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 29 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 29 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 29 мОм, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C6.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)29 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min29 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max29 мОм
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET