FDZ293P / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус VFBGA9 , Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 1.7 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 20V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусVFBGA9
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность1.7 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 20V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET