FQA7N80 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO3P , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.5 Ом, Рассеиваемая мощность 198 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусTO3P
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток800 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса7.2 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.5 Ом
-
Рассеиваемая мощность198 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET