FQB7N65CTM / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C 7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.4 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.4 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.4 Ом, Рассеиваемая мощность 173 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток650 В
-
Ток стока номинальный при 25°C7 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.4 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.4 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.4 Ом
-
Рассеиваемая мощность173 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET