FQD1N50 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C 1.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 9 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 9 Ом, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C1.1 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)9 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min9 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max9 Ом
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252