FQPF5N50C / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO220FULLPAK3 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.4 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.4 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.4 Ом, Рассеиваемая мощность 38 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Характеристики
-
КорпусTO220FULLPAK3
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.4 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.4 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.4 Ом
-
Рассеиваемая мощность38 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB