HGT1S12N60C3DS / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 24 А, Время включения 48 нс, Время выключения 480 нс, Максимальная мощность 104 Вт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C24 А
-
Время включения48 нс
-
Время выключения480 нс
-
Максимальная мощность104 Вт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB