IRFS840B / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 800 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 800 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 800 мОм, Рассеиваемая мощность 44 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)800 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min800 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max800 мОм
-
Рассеиваемая мощность44 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB