KSC1623GMTF / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Биполярный N-P-N транзистор общего назначения. Напряжение эмиттер-коллектор 50 В; ток коллектора 100 мА; Ft 200 МГц; мощность рассеивания 200 мВт; h fe 200…400; корпус SOT-23
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200 , Коэффициент усиления по току, max 400
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
Коэффициент усиления по току, max400