MPS6531 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Transistor; Transistor Type:RF Bipolar; Transistor Polarity:N Channel; Power Dissipation, Pd:0.625W; DC Current Gain Min (hfe):60; Package/Case:3-TO-92; C-E Breakdown Voltage:40V; Collector Current:1.00A
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92