MPSA12D74Z / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 1.2 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20000 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Ток коллектора1.2 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min20000
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92