MPSA92 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min25
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92