NDS9936 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 50 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 50 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 50 мОм, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)50 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min50 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max50 мОм
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET