Корпус TO220 , Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 70 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.