TN6719AD75Z / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 30 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота30 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226