USB10H / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 960 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность960 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET