1SMB10AT3 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Максимальное импульсное напряжение 17 В, Рассеиваемая мощность 550 мВт, Рабочее напряжение 10 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 11.1 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 12.3 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Характеристики
-
Корпус—
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Максимальное импульсное напряжение17 В
-
Рассеиваемая мощность550 мВт
-
Рабочее напряжение10 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min11.1 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max12.3 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA