1SMB170AT3 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус DO214AA , Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 189 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 209 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 170V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA , Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Максимальное импульсное напряжение 275 В, Рассеиваемая мощность 550 мВт, Рабочее напряжение 170 В
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусDO214AA
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min189 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max209 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 170V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Максимальное импульсное напряжение275 В
-
Рассеиваемая мощность550 мВт
-
Рабочее напряжение170 В