2N3771G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
BIP T03 NPN 30A 40V
Корпус TO204AA , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 30 А, Граничная рабочая частота 200 кГц, Коэффициент усиления по току, min 15 , Коэффициент усиления по току, max 60 , Примечание Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
Характеристики
-
КорпусTO204AA
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора30 А
-
Граничная рабочая частота200 кГц
-
Коэффициент усиления по току, min15
-
Коэффициент усиления по току, max60
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 30A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin