2N4923G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, TO-126
Корпус TO225 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Комплементарная пара 2N4920 , Рассеиваемая мощность 30 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 3 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Коэффициент усиления по току, max 150 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO225
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Комплементарная пара2N4920
-
Рассеиваемая мощность30 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота3 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
Коэффициент усиления по току, max150
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225, Plastic/Epoxy, 3 Pin