2N5486 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 310 мВт, Примечание RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность310 мВт
-
ПримечаниеRF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92