2N7002T / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 115 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 7.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 2 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 50 пФ
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C115 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)7.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max2 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора50 пФ