2SC5227A-4-TB-E / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 Вт, Напряжение КЭ максимальное 10 В, Ток коллектора 70 мА, Граничная рабочая частота 7 ГГц, Коэффициент усиления по току, min 60 , Коэффициент усиления по току, max 270 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, NPN
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное10 В
-
Ток коллектора70 мА
-
Граничная рабочая частота7 ГГц
-
Коэффициент усиления по току, min60
-
Коэффициент усиления по току, max270
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, NPN