2SC5706-TL-E / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TP/Bipolar Transistor 100V 5A VCE(sat);135mV max. NPN
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 800 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 5 А, Граничная рабочая частота 400 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Коэффициент усиления по току, max 560
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность800 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора5 А
-
Граничная рабочая частота400 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
Коэффициент усиления по току, max560