6HN04MH-TL-E / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Ток стока номинальный при 25°C 200 мА, Рассеиваемая мощность 600 мВт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Ток стока номинальный при 25°C200 мА
-
Рассеиваемая мощность600 мВт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET