BAS16XV2T1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Схема включения диодов одиночный , Максимальное обратное напряжение диода 75 В, Прямой ток диода (средний) 200 мА, Прямое падение напряжения 1.25 В, Обратный ток диода 1 мкА, Время обратного восстановления диодов 6 нс, Емкость перехода 2 пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 150 °C, Монтаж на плату, SMT
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Схема включения диодоводиночный
-
Максимальное обратное напряжение диода75 В
-
Прямой ток диода (средний)200 мА
-
Прямое падение напряжения1.25 В
-
Обратный ток диода1 мкА
-
Время обратного восстановления диодов6 нс
-
Емкость перехода2 пФ
-
Рабочая температура-55 °C
-
Рабочая температура150 °C
-
Монтажна плату, SMT