BC239C / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 380 , Коэффициент усиления по току, max 800 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота150 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min380
-
Коэффициент усиления по току, max800
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92