BC637G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Коэффициент усиления по току, max 160 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
Коэффициент усиления по току, max160
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226