BC638ZL1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Коэффициент усиления по току, max 160 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота150 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
Коэффициент усиления по току, max160
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92