BC808-25LT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, SOT-23-3
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 160 , Коэффициент усиления по току, max 400 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min160
-
Коэффициент усиления по току, max400
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB