BC846BLT1 / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:

Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Коэффициент усиления по току, max 450 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Предлагаем замену

BCV72.215 (NEX-NXP) 2,10

BC846BLT1G (ONS) 1,24

BC846B (YJ) 0,72

BC846B (DC) 1,30

BC846A (JSCJ) 0,56

BC846BLT3G (ONS) 1,73

хит BC846.215 (NEX-NXP) 0,87

Для BC846B YOUTAI фотографии временно нет

BC846B (YOUTAI) 2,23

BC846BQ (YJ) 1,38

BC846B (JSCJ) 0,70

Характеристики

Корпус

TO236
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

225 мВт
Напряжение КЭ максимальное

65 В
Ток коллектора

100 мА
Граничная рабочая частота

100 МГц
Коэффициент усиления по току, min

200
Коэффициент усиления по току, max

450
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB