BC847ALT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:45V; Current, Ic Continuous a Max:100mA; Voltage, Vce Sat Max:0.6V; Power Dissipation:300mW; ft, Typ:100MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Pins, No. of:3; Frequency, Test:1kHz; Noise:10dB
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 600 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 110 , Коэффициент усиления по току, max 220 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии600 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min110
-
Коэффициент усиления по току, max220
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236