BC847BPDW1T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TSSOP6 , Тип проводимости и конфигурация NPN / PNP , Рассеиваемая мощность 380 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 650 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Коэффициент усиления по току, max 450 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTSSOP6
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN / PNP
-
Рассеиваемая мощность380 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии650 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
Коэффициент усиления по току, max450
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon